Силициев карбид на прах с висока чистота

Служи като основен материал за 6-12-инчови SiC монокристални субстрати и епитаксиални слоеве, използвани в производството на силови устройства като главни задвижващи инвертори за нови енергийни превозни средства, 5G базови станции RF компоненти и фотоволтаични инвертори. Свойствата му на широколентов диапазон повишават устойчивостта на устройството към високи температури и напрежения, като същевременно намаляват консумацията на енергия с над 30%.

Използва се за производство на SiC керамични тигли и-устойчиви на износване керамични компоненти. Възползвайки се от високата си твърдост и термична стабилност, той е подходящ за приложения като обработка на полупроводникови пластини и структурни части при високи-температури в космическото пространство, като удължава експлоатационния живот над 5 пъти в сравнение с традиционната керамика.

Служи като ултра{0}}твърд абразив за прецизно полиране на оптично стъкло и сапфирени субстрати; Оформени в топлопроводими покрития за модули за разсейване на топлината на електронни устройства, постигащи 2-3 пъти по-висока топлопроводимост от конвенционалните покрития.

Използва се за модифициране на анодни материали на литиево-йонни батерии и покриване на биполярни плочи на горивни клетки, като подобрява живота на батерията и електрическата/термичната проводимост. Подходящ за-приложения от висок клас в нови енергийни превозни средства и електроцентрали за съхранение на енергия.